IBM का 2nm ट्रांजिस्टर किसी चमत्कार से कम नहीं है लेकिन ट्रिक आकार में है न कि आकार में

आईबीएम ने पिछले हफ्ते प्रस्तुत किया कि उसने चिप्स को 2nm ट्रांजिस्टर देने की क्षमता का निर्माण किया है। ललित कला के साथ वर्तमान स्थिति आम तौर पर लगभग 5nm या 7nm है, इसलिए यह एक अविश्वसनीय छलांग है, इस तथ्य के बावजूद कि पूरी तरह से विभिन्न निर्माताओं के बीच आकार का आकलन करना हर समय सही नहीं होता है।

उनके आकार से अधिक आकर्षक यह है कि इन चिप्स को संभवतः एक कथित 'नैनोशीट' योजना के साथ विकसित किया जाएगा। अधिकांश ठाठ ट्रांजिस्टर मूल रूप से 'FinFET' पर स्थापित होते हैं, दुनिया में जहां अर्धचालक के अंदर के माध्यम से वर्तमान धाराएं सीधे संतुलन में विस्तारित होती हैं। नैनोशीट या 'गेट-ऑल-अराउंड' ट्रांजिस्टर इस संतुलन को सीधे विशिष्ट व्यक्तिगत स्ट्रिप्स के ढेर में फ्लिप करते हैं, और योजना ऊर्जा दक्षता को उन्नत करने में सक्षम होनी चाहिए और डिजाइन को चिप के विभिन्न भागों के {विद्युत} गुणों को अतिरिक्त रूप से बदलने देना चाहिए। . FinFET 2011 के बाद से विशिष्ट रहा है, इसलिए प्लास्टिक के नए सेमीकंडक्टर मॉडल को नए सिरे से दिखाना सेमीकंडक्टर्स की दुनिया में एक बहुत बड़ी व्यवस्था है।



एक महत्वपूर्ण आगे की छलांग में, आईबीएम ने नैनोशीट नवाचार पर निर्भर अपनी तरह की पहली 2nm चिप की सूचना दी। संगठन ने कहा कि यह चिप सेमीकंडक्टर व्यवसाय को आगे बढ़ाने में मदद करेगी और इसके विकासशील चिप हित को ध्यान में रखेगी। 2एनएम प्रोसेसर पीडीए की बैटरी लाइफ को चौगुना कर सकते हैं। सामान्य उपयोग के आलोक में, टेलीफोन की बैटरी चार दिनों तक चल सकती है। चिप 45% बेहतर प्रदान करता है और वर्तमान सबसे असाधारण 7nm नोड चिप्स की तुलना में 75% कम ऊर्जा का उपयोग करता है।

बल/निष्पादन मिश्रण घटनाओं के मोड़ को गति देता है और क्रॉसओवर क्लाउड स्थितियों और एन्क्रिप्शन गैस पैडल के माध्यम से क्वांटम पीसी के साथ काम करने के लिए काम करने वाले सबसे आगे बौद्धिक, बढ़त और अन्य कंप्यूटिंग चरणों के हस्तांतरण को गति देता है। 2nm नैनोटेक्नोलॉजी एक नख के आकार की चिप पर 50 बिलियन तक ट्रांजिस्टर को उपकृत कर सकती है। एक चिप पर अधिक ट्रांजिस्टर एआई, क्लाउड कंप्यूटिंग, हार्डवेयर-प्रवर्तित सुरक्षा और एन्क्रिप्शन जैसी बढ़त की जिम्मेदारियों को विकसित करने के लिए प्रवर्तकों को सशक्त बनाएंगे।

आईबीएम का नया योगदान अभी तक विचार के सत्यापन के चरण में है और इसे व्यावसायिक रूप से सुलभ होने से कुछ समय पहले हो सकता है। अभी, IBM के विरोधी संगठन Samsung और TSMC अपनी ढलाई में 5nm चिप्स वितरित कर रहे हैं। TSMC ने पहले घोषित किया था कि वह 2021 के अंत से पहले 4nm चिप्स देना शुरू कर देगा और 2022 के 50% लगातार 3nm चिप्स का संचालन करेगा। Intel के 7nm चिप्स अभी प्रगति पर हैं।

आईबीएम इसके साथ कैसे आया?

नैनोशीट शब्द पहली बार 2012 में आईबीएम लैब में लिखा गया था, जब इसके विशेषज्ञों के समूह ने एक अन्य गैजेट इंजीनियरिंग के साथ काम किया था। इसका उद्देश्य मुख्यधारा के नैनोवायर संरचना के लिए एक उपयुक्त विकल्प का निर्माण करना था। आईबीएम का यूरेका सेकेंड नैनोशीट इंजीनियरिंग के साथ है, जिसने बेहतर निष्पादन के लिए आवश्यक मोटाई के साथ नैनोवायर के इलेक्ट्रोस्टैटिक लाभ की पेशकश की।

हाइलाइट्स के इस मिश्रण के साथ, नैनोशीट्स ने फिनफेट पर विजय प्राप्त की, जो उस समय एक प्रचलित सेमीकंडक्टर संरचना थी। किसी भी मामले में, व्यवसाय तेजी से FinFET योजना से आगे बढ़ रहा था। योजनाकारों को अधिक ट्रांजिस्टर पैक करना पड़ा, फिर भी इससे सेमीकंडक्टर स्पिलेज हुआ।

FinFET नवाचार का नाम FET निर्माण से मिलता है और ब्लेड के एक गुच्छा जैसा दिखता है। इस निर्माण में, इलेक्ट्रॉन ट्रांजिस्टर के माध्यम से जाने के लिए, एक स्तर की सतह के बजाय, सुंदर ऊर्ध्वाधर ब्लेड के माध्यम से पाठ्यक्रम करते हैं। फिर से, नैनोशीट स्तरित डिज़ाइनों को आकार देने के लिए ट्रांजिस्टर को एक दूसरे के ऊपर ढेर कर देते हैं। मुख्य 2nm सेमीकंडक्टर नया मल्टी-थ्रेशोल्ड वोल्टेज (मल्टी-वीटी) गैजेट है जिसमें स्पिलेज लेवल तीन ऑर्डर के आकार को पार करता है। यह निर्माताओं को निष्पादन की बेहतर डिग्री चुनने की अनुमति देता है।